Centre de Recherche en Microélectronique et Nanotechnologie (CRMN) (Sousse Technopole)
TunisiePublication : 30 déc. 2025
Electronique, Microélectronique & IoT - E6 - Etude électrique des défauts actif dans les structures HEMT à base GaN
- Stage
- 4-6 mois
- Présentiel
- Échéance : 13 janv. 2026
- Microelectronics
- GaN Devices
- Device Characterization
- Reliability Testing
- Semiconductor Physics
Description du poste
Profil: Ingénieur, Master Pro, Licence. Spécialités: Génie Electrique, Electronique & Microélectronique, Matériaux. Lieu: CRMN, Sousse Technopole. Encadrement: Dr. Manel CHARFEDDINE.
Description du sujet: Les HEMT GaN sont prometteurs pour la haute puissance et températures élevées. Étude électrique pour identifier les effets parasites qui dégradent les performances.
Travail demandé:
- Caractérisations électriques I‑V et C‑V
- Identification et analyse des effets parasites et leurs origines
- Mise en évidence d’anomalies et pistes d’atténuation
Mots-clés: I‑V, C‑V, HEMT, GaN, Transistor
Pièces à joindre: CV (2 pages max), lettre de motivation (1 page), relevés des deux dernières années, et le code/titre du sujet.
📧 Pour postuler: charfeddine.manel@yahoo.fr