Electronique, Microélectronique & IoT - E6 - Etude électrique des défauts actif dans les structures HEMT à base GaN

Profil: Ingénieur, Master Pro, Licence. Spécialités: Génie Electrique, Electronique & Microélectronique, Matériaux. Lieu: CRMN, Sousse Technopole. Encadrement: Dr. Manel CHARFEDDINE.

Description du sujet: Les HEMT GaN sont prometteurs pour la haute puissance et températures élevées. Étude électrique pour identifier les effets parasites qui dégradent les performances.

Travail demandé:

• Caractérisations électriques I‑V et C‑V
• Identification et analyse des effets parasites et leurs origines
• Mise en évidence d’anomalies et pistes d’atténuation

Mots-clés: I‑V, C‑V, HEMT, GaN, Transistor

Pièces à joindre: CV (2 pages max), lettre de motivation (1 page), relevés des deux dernières années, et le code/titre du sujet.

📧 Pour postuler: charfeddine.manel@yahoo.fr