Electronique, Microélectronique & IoT - E5 - Caractérisation électrique et théorique des défauts actif dans les structures HEMT à base Si

Profil: Ingénieur, Licence, Master Pro. Spécialités: Electronique & Microélectronique, Génie Electrique, Matériaux. Lieu: CRMN, Sousse Technopole. Encadrement: Dr. Manel CHARFEDDINE.

Description du sujet: Étude des transistors HEMT AlGaN/GaN sur substrat Si (applications hyperfréquences, densités de puissance élevées) et impact du désaccord de maille. Analyse électrique et théorique des défauts actifs et de leurs effets parasites.

Travail demandé:

• Étude des caractéristiques I‑V d’HEMT AlGaN/GaN
• Rôle du dopage et limites de performance des HEMT
• Identification des effets parasites, leurs origines et conséquences
• Étude théorique et caractérisations électriques (I‑V)

Mots-clés: I‑V, HEMT, AlGaN/GaN, Transistor

Pièces à joindre: CV (2 pages max), lettre de motivation (1 page), relevés des deux dernières années, et le code/titre du sujet.

📧 Pour postuler: charfeddine.manel@yahoo.fr